4月9日，英特尔晶圆代工办事公布取患上庞大技能冲破，开发出全世界最薄的氮化镓（GaN）芯片。硅衬底厚度已经缩减至仅19微米——约为人类头发直径的五分之一。 该芯片采用英特尔专有的隐形切割及减薄工艺，于 300 毫米（12 英寸）氮化镓硅基晶圆上制造而成。这类要领可以或许于连结布局完备性及机能不变性的同时，实现超薄形状。 更值患上一提的是，该团队初次实现了氮化镓功率晶体管与硅基数字逻辑电路的单片集成。经由过程将繁杂的计较功效直接嵌入到功率芯片中，该设计无需分外的辅助芯片，显著简化了体系架构并降低了组件间的能量损耗。 机能测试注解，GaN晶体管可蒙受高达78V的电压，并实现跨越300GHz的射频截止频率，满意高频通讯运用的需求。集成的数字逻辑库运行靠得住，反相器开关速率快至33皮秒，且于整个晶圆上机能一致，注解其具备强盛的量产潜力。该技能还有经由过程了四项行业尺度靠得住性测试，证实了其于高温高压前提下运行的能力，并满意贸易部署要求。 跟着传统硅基技能于高功率及高频运用场景中逐渐靠近其物理极限，被公认为宽带隙半导体的氮化镓 (GaN) 提供了更高的功率密度、更快的开关速率及更低的能耗等上风。 英特尔的解决方案使用 300 毫米硅基氮化镓晶圆加工技能，与现有的半导体系体例造基础举措措施兼容，这可以显著降低出产成本并加快年夜范围运用。
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