据报导，SanDisk正着手成立HBF（一种采用重叠式NAND闪存的下一代存储器）的供给链。ETNews报导称，动静人士吐露，该公司已经最先与质料、组件及装备互助伙伴联系，以构建HBF原型出产线的生态体系。SanDisk规划在本年下半年推出原型产物，日本已经成为该出产基地的热点候选地。业内子士估计，试点出产线将在下半年建成，并于年末先后投入运营，方针是于2027年实现贸易化。 据《The Bell》援引的动静人士进一步指出，跟着样品出产的周全睁开，SanDisk 可能会将其以前概述的 HBF 开发时间表提早约半年，这注解该公司正鼎力大举鞭策于市场上盘踞领先职位地方。 与此同时，正如ETNews指出，鉴在HBM及HBF工艺的相似性，HBM出产装备以和更广泛的质料及组件生态体系估计将继承连结其技能上风。硅通孔（TSV）用在实现重叠式NAND芯片之间的旌旗灯号传输，而用在芯片贴装的键合质料及装备也可能继承由那些已经经于HBM市场成立起强盛竞争力的公司主导。 韩国质料供给商也于踊跃进军高密度闪存（HBF）范畴。据Dealsite报导，韩蔚质料科技（Hanul Materials Science）旗下子公司JK Materials近日公布，已经完成高机能高密度闪存聚合物的研发，并将供给给中国重要客户。报导还有指出，JKM的高机能KrF聚合物是重叠数百层NAND闪存所需的要害化学质料。
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